Numéro de produit du fabricant:
STW56N60DM2
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STW56N60DM2-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
Description détaillée:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
12876961
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SOUMETTRE
STW56N60DM2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ DM2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
60mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4100 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
360W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
STW56
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
5060-STW56N60DM2
497-16341-5
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
R6077VNZ4C13
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
1190
NUMÉRO DE PIÈCE
R6077VNZ4C13-DG
PRIX UNITAIRE
7.97
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2.45
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