IXTH48N65X2
Numéro de produit du fabricant:

IXTH48N65X2

Product Overview

Fabricant:

IXYS

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IXTH48N65X2-DG

Description:

MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Description détaillée:
N-Channel 650 V 48A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventaire:

272 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12820085
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SOUMETTRE

IXTH48N65X2 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Ultra X2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
48A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
68mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4420 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
660W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247 (IXTH)
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXTH48

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
IXTH48N65X2 Building, Home Automation Appl Guide

Informations supplémentaires

Forfait standard
30
Autres noms
632407

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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