STF9N60M2
Numéro de produit du fabricant:

STF9N60M2

Product Overview

Fabricant:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Numéro de pièce:

STF9N60M2-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
Description détaillée:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP

Inventaire:

1988 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12873915
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SOUMETTRE

STF9N60M2 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ II Plus
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
780mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
320 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
20W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FP
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
STF9N60

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,000
Autres noms
-497-13833-5
497-13833-5-DG
497-STF9N60M2
497-13833-5

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
FDPF12N60NZ
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
174
NUMÉRO DE PIÈCE
FDPF12N60NZ-DG
PRIX UNITAIRE
0.90
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFIB6N60APBF
FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
900
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFIB6N60APBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.71
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
TK8A65W,S5X
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
50
NUMÉRO DE PIÈCE
TK8A65W,S5X-DG
PRIX UNITAIRE
0.66
TYPE DE SUBSTITUT
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