FDPF12N60NZ
Numéro de produit du fabricant:

FDPF12N60NZ

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDPF12N60NZ-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Description détaillée:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventaire:

174 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12846855
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
CC2P
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

FDPF12N60NZ Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
UniFET-II™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1676 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
39W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
FDPF12

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
FDPF12N60NZ-DG
ONSONSFDPF12N60NZ
2156-FDPF12N60NZ-OS
488-FDPF12N60NZ

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

CPH6354-TL-H

MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH

onsemi

FDG329N

MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88

onsemi

FDS6688S

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC

onsemi

FDMC86520DC

MOSFET N-CH 60V 17A/40A DLCOOL33