SQ3460EV-T1_GE3
Numéro de produit du fabricant:

SQ3460EV-T1_GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SQ3460EV-T1_GE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Description détaillée:
N-Channel 20 V 8A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventaire:

1053 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13059993
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SQ3460EV-T1_GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
30mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1060 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.6W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
SQ3460

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SQ3460EV-T1_GE3TR-ND
SQ3460EV-T1_GE3CT-ND
742-SQ3460EV-T1_GE3DKR
SQ3460EV-T1_GE3CT
742-SQ3460EV-T1_GE3CT
SQ3460EV-T1-GE3TR
SQ3460EV-T1_GE3DKR-ND
SQ3460EV-T1-GE3CT-ND
SQ3460EV-T1-GE3DKR-ND
SQ3460EV-T1-GE3TR-ND
SQ3460EV-T1_GE3TR
SQ3460EV-T1-GE3DKR
742-SQ3460EV-T1_GE3TR
SQ3460EVT1GE3
SQ3460EV-T1-GE3CT
SQ3460EV-T1-GE3
SQ3460EV-T1_GE3DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
FDC637AN
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
12361
NUMÉRO DE PIÈCE
FDC637AN-DG
PRIX UNITAIRE
0.25
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STT5N2VH5
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
5800
NUMÉRO DE PIÈCE
STT5N2VH5-DG
PRIX UNITAIRE
0.16
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FDC637BNZ
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
216
NUMÉRO DE PIÈCE
FDC637BNZ-DG
PRIX UNITAIRE
0.11
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
NTGS3130NT1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
1870
NUMÉRO DE PIÈCE
NTGS3130NT1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.33
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
RUQ050N02TR
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
2985
NUMÉRO DE PIÈCE
RUQ050N02TR-DG
PRIX UNITAIRE
0.31
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay

SI4010DY-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO

vishay

SI4346DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 5.9A 8SO

vishay

SUD50N03-09P-E3

MOSFET N-CH 30V 63A TO252

vishay

SUM110N03-03P-E3

MOSFET N-CH 30V 110A TO263