SUD50P04-40P-T4-E3
Numéro de produit du fabricant:

SUD50P04-40P-T4-E3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SUD50P04-40P-T4-E3-DG

Description:

MOSFET P-CH 40V 6A/8A TO252
Description détaillée:
P-Channel 40 V 6A (Ta), 8A (Tc) 2.4W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventaire:

12787144
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SUD50P04-40P-T4-E3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Ta), 8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
40mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1555 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.4W (Ta), 24W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
SUD50

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

SUM52N20-39P-E3

MOSFET N-CH 200V 52A TO263

vishay-siliconix

SIHP21N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

vishay-siliconix

SQD97N06-6M3L_GE3

MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA

vishay-siliconix

SIHP25N40D-GE3

MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB