Numéro de produit du fabricant:
SUD19N20-90-BE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SUD19N20-90-BE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
12939470
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SUD19N20-90-BE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
90mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 136W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
SUD19
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
742-SUD19N20-90-BE3TR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SUD19N20-90-E3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
3073
NUMÉRO DE PIÈCE
SUD19N20-90-E3-DG
PRIX UNITAIRE
1.18
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
SQ4850EY-T1_BE3
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
RTQ025P02HZGTR
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
SQ3427AEEV-T1_BE3
MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
