SQJ146ELP-T1_GE3
Numéro de produit du fabricant:

SQJ146ELP-T1_GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SQJ146ELP-T1_GE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Description détaillée:
N-Channel 40 V 74A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventaire:

3000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12955112
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SOUMETTRE

SQJ146ELP-T1_GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
74A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1780 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
75W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SQJ146

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
742-SQJ146ELP-T1_GE3TR

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
fairchild-semiconductor

FCH130N60

MOSFET N-CH 600V 28A TO247-3

linear-integrated-systems

SST213 SOT-143 4L ROHS

HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO

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FCPF190N65FL1-F154

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F-3

harris-corporation

RF1S50N06

50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL