Numéro de produit du fabricant:
SIRA62DP-T1-RE3
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SIRA62DP-T1-RE3-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK
Description détaillée:
N-Channel 30 V 51.4A (Ta), 80A (Tc) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaire:
5986 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12787041
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SIRA62DP-T1-RE3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
51.4A (Ta), 80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+16V, -12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4460 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Emballage / Caisse
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SIRA62
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SIRA62DP-T1-RE3CT
SIRA62DP-T1-RE3TR
2266-SIRA62DP-T1-RE3TR
SIRA62DP-T1-RE3DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SIHG61N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
SIHB24N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
SIHG11N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC