IRL620PBF-BE3
Numéro de produit du fabricant:

IRL620PBF-BE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRL620PBF-BE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventaire:

980 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12945888
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
Airs
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

IRL620PBF-BE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.2A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
800mOhm @ 3.1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
360 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IRL620

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
742-IRL620PBF-BE3

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produits Connexes
stmicroelectronics

STP16NK65Z

MOSFET N-CH 650V 13A TO220AB

stmicroelectronics

STD2NK70ZT4

MOSFET N-CH 700V 1.6A DPAK

stmicroelectronics

STL190N4F7AG

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

rohm-semi

R8001CND3FRATL

MOSFET N-CH 800V 1A TO252