IRFD110PBF

Numéro de produit du fabricant:

IRFD110PBF

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRFD110PBF-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Description détaillée:

N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventaire:

21588 Pièces Nouvelles Originales En Stock

12910110

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SOUMETTRE

IRFD110PBF Spécifications techniques

Catégorie

FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant

Vishay

Emballage

Tube

Série

-

État du produit

Active

FET Type

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss)

100 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C

1A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

rds activé (max) @ id, vgs

540mOhm @ 600mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.3 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds

180 pF @ 25 V

Fonctionnalité FET

-

Dissipation de puissance (max.)

1.3W (Ta)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Ensemble d’appareils du fournisseur

4-HVMDIP

Emballage / Caisse

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Numéro de produit de base

IRFD110

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard

100

Autres noms

*IRFD110PBF

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS

ROHS3 Compliant

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)

1 (Unlimited)

Statut REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certification DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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