Numéro de produit du fabricant:
XPW4R10ANB,L1XHQ
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
XPW4R10ANB,L1XHQ-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Description détaillée:
N-Channel 100 V 70A 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Inventaire:
16106 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12949147
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SOUMETTRE
XPW4R10ANB,L1XHQ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
70A
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4970 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
170W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-DSOP Advance
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
264-XPW4R10ANB,L1XHQDKR
264-XPW4R10ANB,L1XHQTR
264-XPW4R10ANB,L1XHQCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
UF3SC065040B7S
650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
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MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
IRF100P218AKMA1
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
