Numéro de produit du fabricant:
TTC009,F(J
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TTC009,F(J-DG
Description:
TRANS NPN 80V 3A TO220NIS
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 150MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventaire:
12890268
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SOUMETTRE
TTC009,F(J Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
3 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 500mA, 5V
Puissance - Max
2 W
Fréquence - Transition
150MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220NIS
Numéro de produit de base
TTC009
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
TTC009F(J
TTC009FJ
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
2SC6076(TE16L1,NV)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
2SC6076(TE16L1,NV)-DG
PRIX UNITAIRE
0.16
TYPE DE SUBSTITUT
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