Numéro de produit du fabricant:
TPW4R50ANH,L1Q
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TPW4R50ANH,L1Q-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
Description détaillée:
N-Channel 100 V 92A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Inventaire:
7365 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12890812
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SOUMETTRE
TPW4R50ANH,L1Q Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
92A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5200 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
800mW (Ta), 142W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-DSOP Advance
Emballage / Caisse
8-PowerWDFN
Numéro de produit de base
TPW4R50
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
TPW4R50ANHL1QDKR
TPW4R50ANH,L1Q(M
TPW4R50ANHL1QTR
TPW4R50ANHL1QCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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