Numéro de produit du fabricant:
TPN2R304PL,L1Q
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TPN2R304PL,L1Q-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Description détaillée:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventaire:
39427 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12890290
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
CL4e
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
TPN2R304PL,L1Q Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSIX-H
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 300µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3600 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
630mW (Ta), 104W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
TPN2R304
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
TPN2R304PLL1QTR
TPN2R304PLL1QCT
TPN2R304PL,L1Q(M
TPN2R304PLL1QDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TPC8036-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TPCF8B01(TE85L,F,M
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
TPCA8A04-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP
