Numéro de produit du fabricant:
TPH8R903NL,LQ
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TPH8R903NL,LQ-DG
Description:
MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Description détaillée:
N-Channel 30 V 20A (Tc) 1.6W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventaire:
3170 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12890392
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SOUMETTRE
TPH8R903NL,LQ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
820 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.6W (Ta), 24W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOP Advance (5x5)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
TPH8R903
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
TPH8R903NLLQCT
TPH8R903NLLQDKR
TPH8R903NLLQTR
TPH8R903NL,LQ(S
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SSM3J35AMFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
DMG3415UFY4-7
MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
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MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
