Numéro de produit du fabricant:
TPH1110ENH,L1Q
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TPH1110ENH,L1Q-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Description détaillée:
N-Channel 200 V 7.2A (Ta) 1.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventaire:
12890764
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Quantité
Minimum 1
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4b83
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SOUMETTRE
TPH1110ENH,L1Q Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
114mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
600 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.6W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOP Advance (5x5)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
TPH1110
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
TPH1110ENH,L1Q(M
TPH1110ENHL1QCT
TPH1110ENHL1QDKR
TPH1110ENHL1QTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SSM3J133TU,LF
MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
TK16E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
TK100S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
