Numéro de produit du fabricant:
TPCF8201(TE85L,F,M
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TPCF8201(TE85L,F,M-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8
Description détaillée:
Mosfet Array 20V 3A 330mW Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Inventaire:
12890829
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SOUMETTRE
TPCF8201(TE85L,F,M Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
20V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3A
rds activé (max) @ id, vgs
49mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
590pF @ 10V
Puissance - Max
330mW
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SMD, Flat Lead
Ensemble d’appareils du fournisseur
VS-8 (2.9x1.5)
Numéro de produit de base
TPCF8201
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
TPCF8201TR-NDR
TPCF8201(TE85LFMCT
TPCF8201FCT-DG
TPCF8201FTR-DG
TPCF8201FTR
TPCF8201(TE85LFMDKR
TPCF8201(TE85L,F)
TPCF8201(TE85LFMTR
TPCF8201FCT
TPCF8201FDKR
TPCF8201FDKR-DG
TPCF8201TE85LFM
TPCF8201CT-NDR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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