Numéro de produit du fabricant:
TPCC8009,LQ(O
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TPCC8009,LQ(O-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON
Description détaillée:
N-Channel 30 V 24A (Ta) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventaire:
12891423
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SOUMETTRE
TPCC8009,LQ(O Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
U-MOSIV
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
24A (Ta)
rds activé (max) @ id, vgs
7mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1270 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
TPCC8009
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
TPCC8009LQO
TPCC8009LQ(O
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RQ3E130BNTB
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
1954
NUMÉRO DE PIÈCE
RQ3E130BNTB-DG
PRIX UNITAIRE
0.15
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