Numéro de produit du fabricant:
TK9P65W,RQ
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TK9P65W,RQ-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 650 V 9.3A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventaire:
12890618
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SOUMETTRE
TK9P65W,RQ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
DTMOSIV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
560mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 350µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
700 pF @ 300 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
80W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
TK9P65
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
TK9P65WRQCT
TK9P65WRQDKR
TK9P65W,RQ(S
TK9P65WRQTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD60R600P7SAUMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
9704
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD60R600P7SAUMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.25
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