Numéro de produit du fabricant:
TK60S06K3L(T6L1,NQ
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TK60S06K3L(T6L1,NQ-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 60 V 60A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventaire:
1975 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889946
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SOUMETTRE
TK60S06K3L(T6L1,NQ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSIV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
60A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2900 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
88W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK+
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
TK60S06
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
TK60S06K3L(T6L1NQ-DG
264-TK60S06K3L(T6L1,NQCT
264-TK60S06K3L(T6L1,NQTR
TK60S06K3LT6L1NQ
264-TK60S06K3L(T6L1,NQDKR
TK60S06K3L(T6L1NQ
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRLR3636TRLPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
1281
NUMÉRO DE PIÈCE
IRLR3636TRLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.75
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