Numéro de produit du fabricant:
TK60D08J1(Q)
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TK60D08J1(Q)-DG
Description:
MOSFET N-CH 75V 60A TO220
Description détaillée:
N-Channel 75 V 60A (Ta) 140W (Tc) Through Hole TO-220(W)
Inventaire:
12889468
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SOUMETTRE
TK60D08J1(Q) Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
75 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
60A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5450 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
140W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220(W)
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
TK60D08
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB3307ZPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
1731
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB3307ZPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.99
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