Numéro de produit du fabricant:
TK5A60W5,S5VX
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TK5A60W5,S5VX-DG
Description:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Description détaillée:
N-Channel 600 V 4.5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventaire:
12988699
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SOUMETTRE
TK5A60W5,S5VX Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tube
Série
DTMOSIV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
950mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 230µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
370 pF @ 300 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
30W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220SIS
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
264-TK5A60W5S5VX
264-TK5A60W5,S5VX
264-TK5A60W5,S5VX-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TPH4R008QM,LQ
POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
IPB65R125CFD7ATMA1
HIGH POWER_NEW
IPTG063N15NM5ATMA1
TRENCH >=100V
