Numéro de produit du fabricant:
TK16G60W5,RVQ
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TK16G60W5,RVQ-DG
Description:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Description détaillée:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventaire:
2000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12988809
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SOUMETTRE
TK16G60W5,RVQ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
DTMOSIV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
230mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 790µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1350 pF @ 300 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
130W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
264-TK16G60W5,RVQCT
264-TK16G60W5RVQTR-DG
264-TK16G60W5RVQTR
264-TK16G60W5,RVQDKR
264-TK16G60W5,RVQTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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