Numéro de produit du fabricant:
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TJ60S06M3L(T6L1,NQ-DG
Description:
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Description détaillée:
P-Channel 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventaire:
2361 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889524
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SOUMETTRE
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVI
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
60A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
11.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+10V, -20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7760 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
100W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK+
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
TJ60S06
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
264-TJ60S06M3L(T6L1,NQTR
264-TJ60S06M3L(T6L1,NQDKR
264-TJ60S06M3L(T6L1,NQCT
TJ60S06M3L(T6L1NQ-DG
TJ60S06M3L(T6L1NQ
TJ60S06M3LT6L1NQ
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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