Numéro de produit du fabricant:
SSM6N57NU,LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SSM6N57NU,LF-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 4A 1W Surface Mount 6-µDFN (2x2)
Inventaire:
5120 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889937
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SOUMETTRE
SSM6N57NU,LF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A
rds activé (max) @ id, vgs
46mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
310pF @ 10V
Puissance - Max
1W
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-WDFN Exposed Pad
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-µDFN (2x2)
Numéro de produit de base
SSM6N57
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SSM6N57NULF(TTR-DG
SSM6N57NULF
SSM6N57NULF(TCT
SSM6N57NULFCT
SSM6N57NU,LF(B
SSM6N57NU,LFCT-DG
SSM6N57NULFTR
SSM6N57NU,LF(T
SSM6N57NULF(TDKR
SSM6N57NULF(TDKR-DG
SSM6N57NULF(TTR
SSM6N57NULFDKR
SSM6N57NULF(TCT-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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