Numéro de produit du fabricant:
SSM6K824R,LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SSM6K824R,LF-DG
Description:
N-CH MOSFET 20V, +/-8V, 6A ,0.03
Description détaillée:
N-Channel 20 V 6A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Inventaire:
5960 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13002675
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SOUMETTRE
SSM6K824R,LF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
33mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
410 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP-F
Emballage / Caisse
6-SMD, Flat Leads
Numéro de produit de base
SSM6K824
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
264-SSM6K824RLFTR
264-SSM6K824R,LFTR-DG
264-SSM6K824R,LFCT
264-SSM6K824R,LFCT-DG
264-SSM6K824RLFDKR
264-SSM6K824R,LFTR
264-SSM6K824R,LFDKR-DG
264-SSM6K824RLFCT
264-SSM6K824R,LFDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SIHP074N65E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
SQS181ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
NVLJWS011N06CLTAG
T6 60V LL 2X2 WDFNW6
