Numéro de produit du fabricant:
SSM6J808R,LXHF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SSM6J808R,LXHF-DG
Description:
AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Description détaillée:
P-Channel 40 V 7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Inventaire:
2965 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12996334
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SOUMETTRE
SSM6J808R,LXHF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
35mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+10V, -20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1020 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP-F
Emballage / Caisse
6-SMD, Flat Leads
Numéro de produit de base
SSM6J808
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
264-SSM6J808R,LXHFCT-DG
264-SSM6J808R,LXHFDKR-DG
264-SSM6J808R,LXHFTR
264-SSM6J808R,LXHFTR-DG
264-SSM6J808RLXHFTR
264-SSM6J808RLXHFDKR
264-SSM6J808R,LXHFDKR
264-SSM6J808RLXHFCT
264-SSM6J808R,LXHFCT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
R8011KNXC7G
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 11
IXTT110N10L2-TRL
MOSFET N-CH 100V 110A TO268
