Numéro de produit du fabricant:
SSM6J206FE(TE85L,F
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SSM6J206FE(TE85L,F-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
Description détaillée:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventaire:
12889259
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SOUMETTRE
SSM6J206FE(TE85L,F Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4V
rds activé (max) @ id, vgs
130mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
335 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
ES6
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Numéro de produit de base
SSM6J206
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
SSM6J206FETE85LF
SSM6J206FE(TE85LFCT
SSM6J206FE(TE85LFTR
SSM6J206FE(TE85LFDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
NTZS3151PT1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
17660
NUMÉRO DE PIÈCE
NTZS3151PT1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.07
TYPE DE SUBSTITUT
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