SSM5G10TU(TE85L,F)
Numéro de produit du fabricant:

SSM5G10TU(TE85L,F)

Product Overview

Fabricant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SSM5G10TU(TE85L,F)-DG

Description:

MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
Description détaillée:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV

Inventaire:

40 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889139
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SSM5G10TU(TE85L,F) Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Cut Tape (CT)
Série
U-MOSIII
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4V
rds activé (max) @ id, vgs
213mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 4 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
250 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
UFV
Emballage / Caisse
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Numéro de produit de base
SSM5G10

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SSM5G10TU(TE85LF)CT
SSM5G10TU(TE85LF)DKR
SSM5G10TUTE85LF
SSM5G10TU(TE85LF)TR

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
toshiba-semiconductor-and-storage

TK10P60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K37MFV,L3F

MOSFET N-CH 20V 250MA VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

TK290A60Y,S4X

MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TK290P60Y,RQ

MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK