SSM5G10TU(TE85L,F) Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4V
rds activé (max) @ id, vgs
213mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 4 V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
250 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
UFV
Emballage / Caisse
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Numéro de produit de base
SSM5G10
Informations supplémentaires
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Certification DIGI
Produits Connexes