Numéro de produit du fabricant:
SSM3J372R,LXHF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SSM3J372R,LXHF-DG
Description:
AECQ MOSFET PCH -30V -6A SOT23F
Description détaillée:
P-Channel 30 V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Inventaire:
2842 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12948934
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SOUMETTRE
SSM3J372R,LXHF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVI
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
42mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
+6V, -12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
560 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23F
Emballage / Caisse
SOT-23-3 Flat Leads
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SSM3J372R,LXHF(B
SSM3J372RLXHF
SSM3J372R,LXHF(T
264-SSM3J372R,LXHFTR
264-SSM3J372R,LXHFCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMN90H2D2HCTI
MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB
SD215DE TO-72 4L
HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
MCAC50P03B-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060