Numéro de produit du fabricant:
SSM3J15CT(TPL3)
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SSM3J15CT(TPL3)-DG
Description:
MOSFET P-CH 30V 100MA CST3
Description détaillée:
P-Channel 30 V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Inventaire:
12890183
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
RuPN
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SSM3J15CT(TPL3) Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
π-MOSVI
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4V
rds activé (max) @ id, vgs
12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9.1 pF @ 3 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
100mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
CST3
Emballage / Caisse
SC-101, SOT-883
Numéro de produit de base
SSM3J15
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
SSM3J15CT(TPL3)TR
SSM3J15CTL3FCT
SSM3J15CTL3FTR
SSM3J15CTTPL3
SSM3J15CTL3FDKR-DG
SSM3J15CTL3FTR-DG
SSM3J15CTL3FDKR
SSM3J15CT(TPL3)DKR
SSM3J15CT(TPL3)CT
SSM3J15CTL3FCT-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PMZ1200UPEYL
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
9975
NUMÉRO DE PIÈCE
PMZ1200UPEYL-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
2SK2989(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD
TK10V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN
SSM3K59CTB,L3F
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
