Numéro de produit du fabricant:
SSM3J118TU,LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SSM3J118TU,LF-DG
Description:
PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH
Description détaillée:
P-Channel 30 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Inventaire:
2895 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12990153
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SSM3J118TU,LF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
240mOhm @ 650mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
137 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
UFM
Emballage / Caisse
3-SMD, Flat Leads
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
264-SSM3J118TULFTR
264-SSM3J118TU,LFCT
264-SSM3J118TU,LFTR
264-SSM3J118TU,LFTR-DG
264-SSM3J118TULFTR-DG
264-SSM3J118TU,LFDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SISH892BDN-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
PSMNR98-25YLEX
PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAK
UJ4C075033B7S
750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,