Numéro de produit du fabricant:
RN4988(TE85L,F)
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN4988(TE85L,F)-DG
Description:
NPN + PNP BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
Inventaire:
2980 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13275901
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SOUMETTRE
RN4988(TE85L,F) Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
22kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
250MHz, 200MHz
Puissance - Max
200mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
US6
Numéro de produit de base
RN4988
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
264-RN4988(TE85LF)TR
264-RN4988(TE85LF)DKR
264-RN4988(TE85LF)CT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
Produits Connexes
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