Numéro de produit du fabricant:
RN4985FE,LXHF(CT
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN4985FE,LXHF(CT-DG
Description:
AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventaire:
7980 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12973833
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SOUMETTRE
RN4985FE,LXHF(CT Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
2.2kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
250MHz, 200MHz
Puissance - Max
100mW
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
ES6
Numéro de produit de base
RN4985
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
264-RN4985FE,LXHF(CTDKR
264-RN4985FE,LXHF(CTTR-DG
264-RN4985FELXHF(CT
264-RN4985FELXHF(CTTR
264-RN4985FELXHF(CTDKR
264-RN4985FE,LXHF(CT-DG
264-RN4985FE,LXHF(CTDKR-DG
264-RN4985FE,LXHF(CTTR
264-RN4985FE,LXHF(CT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
RN4988FE,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=22KO
2SC164S_R1_00001
APPLICATION SPECIFIC MULTICHIP C
NSVMUN5338DW1T3G
SS SC88 DUAL BRT TRPDBN
