Numéro de produit du fabricant:
RN2969FE(TE85L,F)
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN2969FE(TE85L,F)-DG
Description:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventaire:
12889941
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SOUMETTRE
RN2969FE(TE85L,F) Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
47kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
22kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Fréquence - Transition
200MHz
Puissance - Max
100mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
ES6
Numéro de produit de base
RN2969
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
RN2969FE(TE85LF)TR
RN2969FE(TE85LF)DKR
RN2969FE(TE85LF)CT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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