RN2962(TE85L,F)
Numéro de produit du fabricant:

RN2962(TE85L,F)

Product Overview

Fabricant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Numéro de pièce:

RN2962(TE85L,F)-DG

Description:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6

Inventaire:

2760 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889404
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SOUMETTRE

RN2962(TE85L,F) Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
10kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
10kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Fréquence - Transition
200MHz
Puissance - Max
200mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
US6
Numéro de produit de base
RN2962

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
RN2961-66

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
RN2962(TE85LF)TR
RN2962(TE85LF)CT
RN2962(TE85LF)DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
NSVMUN5111DW1T3G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
10000
NUMÉRO DE PIÈCE
NSVMUN5111DW1T3G-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
MUN5111DW1T1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
575
NUMÉRO DE PIÈCE
MUN5111DW1T1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
DDA114YU-7-F
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
5915
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
0.03
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