Numéro de produit du fabricant:
RN2110,LF(CT
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN2110,LF(CT-DG
Description:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventaire:
2000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889954
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SOUMETTRE
RN2110,LF(CT Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
4.7 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Fréquence - Transition
200 MHz
Puissance - Max
100 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-75, SOT-416
Ensemble d’appareils du fournisseur
SSM
Numéro de produit de base
RN2110
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
RN2110LF(CTTR
RN2110(T5LFT)CT
RN2110,LF(CBDRK
RN2110LF(CBTR-DG
RN2110LF(CBCT
RN2110LF(CBDKR
RN2110,LF(CBCT
RN2110(T5LFT)DKR
RN2110,LF(CB
RN2110(T5LFT)TR-DG
RN2110(T5LFT)CT-DG
RN2110(T5L,F,T)
RN2110(T5LFT)DKR-DG
RN2110(T5LFT)TR
RN2110LF(CBTR
RN2110LF(CTCT
RN2110LF(CBCT-DG
RN2110LF(CBDKR-DG
RN2110,LF(CBTR
RN2110LF(CTDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DTA143TETL
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
3000
NUMÉRO DE PIÈCE
DTA143TETL-DG
PRIX UNITAIRE
0.04
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
DTA114TETL
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DTA114TETL-DG
PRIX UNITAIRE
0.04
TYPE DE SUBSTITUT
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