Numéro de produit du fabricant:
RN2107ACT(TPL3)
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN2107ACT(TPL3)-DG
Description:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Inventaire:
12890717
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Quantité
Minimum 1
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5WCv
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SOUMETTRE
RN2107ACT(TPL3) Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
80 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
10 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Puissance - Max
100 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-101, SOT-883
Ensemble d’appareils du fournisseur
CST3
Numéro de produit de base
RN2107
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
RN2107ACT(TPL3)DKR
RN2107ACT(TPL3)TR
RN2107ACT(TPL3)CT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PDTA114TMB,315
FABRICANT
NXP Semiconductors
QUANTITÉ DISPONIBLE
668175
NUMÉRO DE PIÈCE
PDTA114TMB,315-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
TYPE DE SUBSTITUT
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