Numéro de produit du fabricant:
RN1905(T5L,F,T)
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN1905(T5L,F,T)-DG
Description:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Inventaire:
12890907
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c25R
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SOUMETTRE
RN1905(T5L,F,T) Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
2.2kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
250MHz
Puissance - Max
200mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
US6
Numéro de produit de base
RN1905
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
RN1905(T5LFT)CT
RN1905(T5LFT)DKR
RN1905(T5LFT)TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
MUN5235DW1T1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
10031
NUMÉRO DE PIÈCE
MUN5235DW1T1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
DDC123JU-7-F
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
42501
NUMÉRO DE PIÈCE
DDC123JU-7-F-DG
PRIX UNITAIRE
0.05
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
UMH10NTN
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
37094
NUMÉRO DE PIÈCE
UMH10NTN-DG
PRIX UNITAIRE
0.06
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PRIX UNITAIRE
0.03
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PRIX UNITAIRE
0.02
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