Numéro de produit du fabricant:
RN1444ATE85LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN1444ATE85LF-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20 V 300 mA 30 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Inventaire:
12891057
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SOUMETTRE
RN1444ATE85LF Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
300 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
20 V
Résistance - Base (R1)
2.2 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 4mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Fréquence - Transition
30 MHz
Puissance - Max
200 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
S-Mini
Numéro de produit de base
RN1444
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
RN1444-A(TE85L,F)
RN1444ATE85LFDKR
RN1444ATE85LFCT
RN1444ATE85LFTR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DTC623TKT146
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
7724
NUMÉRO DE PIÈCE
DTC623TKT146-DG
PRIX UNITAIRE
0.06
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PRIX UNITAIRE
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