HN1C01FU-Y,LF
Numéro de produit du fabricant:

HN1C01FU-Y,LF

Product Overview

Fabricant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Numéro de pièce:

HN1C01FU-Y,LF-DG

Description:

NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6

Inventaire:

24787 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889131
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SOUMETTRE

HN1C01FU-Y,LF Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 NPN (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
150mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 2mA, 6V
Puissance - Max
200mW
Fréquence - Transition
80MHz
Température de fonctionnement
125°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
US6
Numéro de produit de base
HN1C01

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
HN1C01FU-YLFDKR
HN1C01FU-Y,LF(B
HN1C01FU-YLFCT
HN1C01FU-YLFTR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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