Numéro de produit du fabricant:
2SD2257,KEHINQ(J
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SD2257,KEHINQ(J-DG
Description:
TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventaire:
12891371
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SOUMETTRE
2SD2257,KEHINQ(J Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
3 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
10µA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
2000 @ 2A, 2V
Puissance - Max
2 W
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220NIS
Numéro de produit de base
2SD2257
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
2SD2257KEHINQJ
2SD2257KEHINQ(J
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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