Numéro de produit du fabricant:
2SC3669-Y(T2OMI,FM
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SC3669-Y(T2OMI,FM-DG
Description:
TRANS NPN 80V 2A MSTM
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 2 A 100MHz 1 W Through Hole MSTM
Inventaire:
12891429
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SOUMETTRE
2SC3669-Y(T2OMI,FM Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
2 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 500mA, 2V
Puissance - Max
1 W
Fréquence - Transition
100MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
SC-71
Ensemble d’appareils du fournisseur
MSTM
Numéro de produit de base
2SC3669
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
2SC3669-Y(T2OMIFM
2SC3669YT2OMIFM
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certification DIGI
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