Numéro de produit du fabricant:
2SA1930(LBS2MATQ,M
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SA1930(LBS2MATQ,M-DG
Description:
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventaire:
12890736
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SOUMETTRE
2SA1930(LBS2MATQ,M Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
2 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
180 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
5µA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 100mA, 5V
Puissance - Max
2 W
Fréquence - Transition
200MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220NIS
Numéro de produit de base
2SA1930
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
2SA1930(LBS2MATQM
2SA1930LBS2MATQM
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certification DIGI
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