2SA1869-Y(JKT,Q,M)
Numéro de produit du fabricant:

2SA1869-Y(JKT,Q,M)

Product Overview

Fabricant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Numéro de pièce:

2SA1869-Y(JKT,Q,M)-DG

Description:

TRANS PNP 50V 3A TO220NIS
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 3 A 100MHz 10 W Through Hole TO-220NIS

Inventaire:

12890049
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SOUMETTRE

2SA1869-Y(JKT,Q,M) Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
3 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 200mA, 2A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 500mA, 2V
Puissance - Max
10 W
Fréquence - Transition
100MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220NIS
Numéro de produit de base
2SA1869

Informations supplémentaires

Forfait standard
1
Autres noms
2SA1869YJKTQM
2SA1869-Y(JKTQM)

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certification DIGI
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