Numéro de produit du fabricant:
STW68N65DM6-4AG
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STW68N65DM6-4AG-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4
Description détaillée:
N-Channel 650 V 72A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventaire:
596 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12948255
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SOUMETTRE
STW68N65DM6-4AG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
72A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
39mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5900 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
480W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4
Emballage / Caisse
TO-247-4
Numéro de produit de base
STW68
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
497-STW68N65DM6-4AG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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