STP40N65M2
Numéro de produit du fabricant:

STP40N65M2

Product Overview

Fabricant:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Numéro de pièce:

STP40N65M2-DG

Description:

MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Description détaillée:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220

Inventaire:

37 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12876350
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SOUMETTRE

STP40N65M2 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ M2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
32A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
99mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
56.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2355 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
STP40

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
ST(I,P)40N65M2

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
497-15561-5

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
STW40N65M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
337
NUMÉRO DE PIÈCE
STW40N65M2-DG
PRIX UNITAIRE
2.94
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
FCP104N60F
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
794
NUMÉRO DE PIÈCE
FCP104N60F-DG
PRIX UNITAIRE
2.67
TYPE DE SUBSTITUT
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