STP1N105K3
Numéro de produit du fabricant:

STP1N105K3

Product Overview

Fabricant:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Numéro de pièce:

STP1N105K3-DG

Description:

MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO220
Description détaillée:
N-Channel 1050 V 1.4A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220

Inventaire:

465 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12873544
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SOUMETTRE

STP1N105K3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
SuperMESH3™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1050 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
11Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
180 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
60W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
STP1N

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
497-13394-5
-497-13394-5

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP1R4N100P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP1R4N100P-DG
PRIX UNITAIRE
1.78
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP1N100P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
142
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP1N100P-DG
PRIX UNITAIRE
1.14
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
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IRFBG20PBF
FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
1421
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFBG20PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.68
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FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
1.57
TYPE DE SUBSTITUT
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certification_015
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