Numéro de produit du fabricant:
STP165N10F4
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STP165N10F4-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 315W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
12873128
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SOUMETTRE
STP165N10F4 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
DeepGATE™, STripFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10500 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
315W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
STP165
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
497-10710-5-DG
497-10710-5
497-STP165N10F4
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDP054N10
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
919
NUMÉRO DE PIÈCE
FDP054N10-DG
PRIX UNITAIRE
2.39
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